新一代超高分辨雙束聚焦掃描電鏡工作平臺 XEIA3，是一款的集多種功能于一體的新型雙束聚焦(XE)掃描電子顯微鏡，它性能優(yōu)異，為用戶提供的整體解決方案。XEIA3不僅配有大功率的FIB以進行超快速的微米或納米級切割，還具備出色的低能粒子束成像能力，同時亦可以進行快速可靠地顯微分析以及樣品分析的3D重建。

詳細介紹

關鍵參數(shù)特征

功能強大的SEM電子光學系統(tǒng)，采用高亮度的Schottky發(fā)射器為電子源，具有束流大，噪點低，非凡的成像能力等特點

In-Beam探測器能夠確保在極小的工作距離下仍能收集信號，進行高品質成像

采用Xe等離子體源的超快速FIB系統(tǒng)。束流大，具有驚人的離子束切割速度，因此在切除大體積塊狀材料時卓有成效；同時較低的離子束流便于完成樣品表面拋光

電子束減速技術（BDT）助力于進行超低著陸電壓下的成像

隔離材料的植入、摻雜或降解更少，這點對于半導體行業(yè)相當重要

SEM與 FIB兩系統(tǒng)互補，即使用FIB進行樣品切割或沉積時，可同時進行SEM成像拍照

TESCAN電鏡的各種自動化操作技術，如In-Flight Beam Tracing^TM技術可通過計算精確的調節(jié)高分辨率成像所需的參數(shù)設置（例如工作距離WD、放大倍率等）

DrawBeam 軟件模塊是一個便于進行圖案設計的工具，3D功能亦很強大，使用它可在FIB切割或粒子束蝕刻等過程可實時獲取圖像

為3D EDX及3D EBSD等三維顯微分析技術帶來全新的解決方案

集成了飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）與掃描探針顯微技術，可擴展的大樣品室，使用戶能夠進行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻檢驗，12’’ 晶片光刻檢驗是TESCAN電鏡的技術能力

氣體注入系統(tǒng) (GIS) 有助于使FIB完成更多應用

高性能的電子成像能力，其成像速率可高達20 ns/pxl, 同時具備出色的沉積速率及超快的掃描速度

渦輪分子泵及前級泵的高效能有利于保持樣品室的清潔度；電子槍通過離子吸氣泵獲得真空

為用戶需求提供具體解決方案

TESCAN公司不僅為用戶提供行業(yè)的儀器設備，而且長期致力于為研究者提供的技術支持以推動人類科學與技術的進步。XEIA3新型電鏡的推出，彰顯了TESCAN的這份使命感。同時，這點也體現(xiàn)在TESCAN積極地為用戶提供的定制化服務上。TESCAN愿攜手來自材料/生命科學以及半導體/工程等諸多行業(yè)領域的研究人員，共同迎接未來的挑戰(zhàn)。

Xe等離子體源，極大地擴展FIB的應用能力

XEIA3型電鏡為雙束聚焦掃描電子顯微鏡，同時集成了以Xe等離子體為離子源的FIB系統(tǒng)和具有超高分辨率的SEM系統(tǒng)。FIB和SEM兩系統(tǒng)的協(xié)同作用，能夠完成一項迄今為止尚未實現(xiàn)的功能——以極快的速度進行大塊材料的FIB切割去除。同時，SEM電子顯微系統(tǒng)具有低于2nm的分辨率，能夠幫助科學研究或高科技產(chǎn)業(yè)開發(fā)并完成更多的應用。而且，大束流的等離子體離子源也能大大擴展該電鏡的使用范圍，幫助用戶完成更多工作。

應用實例

半導體和微電子領域

Xe等離子體源的FIB系統(tǒng)，能夠為用戶提供更加快速便捷的技術手段，使其更好地利用能譜（EDX）、波譜（WD）等化學成分分析方法，更能夠充分發(fā)揮3D EDX和3D EBSD的功能及特點。同時，XEIA3還能夠搭載飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS），用于進行優(yōu)異分辨率的表面分析。以上可知，XEIA3是一個功能超級全面的分析平臺，其在材料科學領域所呈現(xiàn)的研究能力顯而易見。

新材料及其形貌表征的研究

晶體、陶瓷及高分子等非導電材料研究

復雜結構碳納米管的圖案結構觀察

碳納米管 Ag納米線

材料科學

XEIA3雙束聚焦離子束掃描電鏡配有大功率Xe等離子體源FIB系統(tǒng)，特別適合半導體和微電子行業(yè)的檢測和應用。用戶可采用大束流進行快速FIB切割，大束流也適用于制備材料薄層切片或切割較大橫截面；使用中等束流進行拋光，并去除表面加工痕跡；小束流用于進行切割截面或薄層切片最后的精拋光。另外，FIB進行離子刻蝕能夠獲得更好的蝕刻圖案分辨率。

制備薄片樣品   釬焊隆起界面細節(jié)觀察

生命科學

XEIA3聚焦離子束掃描電鏡的成像能力，能夠在自然狀態(tài)下對多種生物樣品進行觀察、成像。生物樣品不需要噴涂導電層，也不用進行化學固定，因此整個分析過程大大簡化，非常便于用戶操作。

  微生物學
生物醫(yī)學工程
生物細胞與組織學
細胞鑒定
制藥學及制藥工程
動力學過程的研究，如物質晶化或溶解等過程
顆粒物特性研究，如顆粒尺寸、孔隙率、顆粒結構及污染物等