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韋弗斯檢測技術(shù)（上海）有限公司
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韋弗斯檢測技術(shù)（上海）有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)WFS-S1-S
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海市
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SF6露點(diǎn)及壓力變送器（WFS-S6DPT）采用全新材料高分子薄膜傳感器技術(shù)，既具有一般高分子薄膜傳感器高濕響 應(yīng)優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具備*的低濕測量響應(yīng)水平。傳感器電路設(shè)計(jì)能自動(dòng)補(bǔ)償由溫度、污染、老化引起的漂移，確保長期可 靠的高精度測量。結(jié)合全新材料高分子薄膜傳感器技術(shù)的高穩(wěn)定性，重新校準(zhǔn)的周期得以延長至兩年以上。創(chuàng)新的溫度補(bǔ)償算法及出廠前多點(diǎn)溫度的補(bǔ)償校驗(yàn)，大大改善了傳感器的溫
產(chǎn)品概述
SF6露點(diǎn)及壓力變送器（WFS-S6DPT）采用全新材料高分子薄膜傳感器技術(shù)，既具有一般高分子薄膜傳感器高濕響 應(yīng)優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具備*的低濕測量響應(yīng)水平。傳感器電路設(shè)計(jì)能自動(dòng)補(bǔ)償由溫度、污染、老化引起的漂移，確保長期可 靠的高精度測量。結(jié)合全新材料高分子薄膜傳感器技術(shù)的高穩(wěn)定性，重新校準(zhǔn)的周期得以延長至兩年以上。創(chuàng)新的溫度補(bǔ)償算法及出廠前多點(diǎn)溫度的補(bǔ)償校驗(yàn)，大大改善了傳感器的溫度漂移，保證了寬溫度范圍內(nèi)的高精度測量。
產(chǎn)品性能/優(yōu)勢
全新的高分子薄膜傳感器技術(shù)及基于 MEMS 壓力傳感器；可同時(shí)監(jiān)測露點(diǎn)及在線壓力(jue對(duì)壓力 0 …17 bar)；
高達(dá)±2℃TD 的精度測量，高響應(yīng)速度及出色的長期穩(wěn)定性；防冷凝結(jié)露，抗微粒污染、油蒸汽及多數(shù)化學(xué)品；
出廠前的多點(diǎn)溫度補(bǔ)償校驗(yàn)；出色的抗力；IP65防護(hù)等級(jí)，即使惡劣的環(huán)境下也能提供良好的保護(hù)；通過標(biāo)配的 RS485接口及功能強(qiáng)大的服務(wù)軟件，提供全面的傳感器設(shè)置，數(shù)據(jù)傳輸，軟件升級(jí)及維護(hù)功能。
測量參數(shù)
露點(diǎn)測量范圍：-80 …+20℃TD
壓力測量范圍：jue對(duì)壓力 0 … 17 bar
溫度測量范圍：-40 …+100℃， SF6 或 SF6/N2 混合氣密度 0 … 100 kg/m3
測量精度：露點(diǎn)精度(空氣或氮?dú)? ±2℃TD
溫度精度：0… +50℃ ±0.3℃（標(biāo)準(zhǔn)）40…0℃及+50…+100℃ ±0.5℃（標(biāo)準(zhǔn)）
壓力精度：23℃ ±0.3%FS壓力隨溫度漂移 ±0.01bar/10℃ ，
密度精度：(pure SF6, 0 … 17 bar)
0 … +40℃ ±1%FS-40…+60℃ ±2%FS
響應(yīng)時(shí)間： 63% [90%]， 20℃，1bar(gauge)，4L/min
露點(diǎn)傳感器：-50 -> -10℃TD 10 秒 [20 秒 ] -10 -> -50℃TD 30 秒 [2 分鐘]
壓力響應(yīng)時(shí)間 lt; 1 s
電流輸出：（量程可改） 4…20mA（3 線）
電流輸出分辨率 0.002mA
電流輸出溫度漂移 0.01% of span /℃
電流輸出負(fù)載：zui大500ohm
數(shù)字輸出：RS485 Modbus RTU
連接器：5-pin M12。
電源
正常測量： 16…30V /30mA + 4-20mA 電流輸出
工作環(huán)境 工作溫度 -20…+70℃
存儲(chǔ)溫度 -30…+80℃
相對(duì)濕度：0…95%RH
樣氣流速 gt;1 L/min
壓力環(huán)境： 0…50 bar
外殼不銹鋼
保護(hù)等級(jí)：IP65
機(jī)械部件連接：ISO G 1/2”
不銹鋼網(wǎng)過濾器：過濾等級(jí) 30~45um
電磁兼容：符合 IEC 61326-1。
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