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芯片封裝等離子清洗機(jī)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

芯片封裝等離子清洗機(jī)

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體真空等離子清洗處理機(jī)-金鉑利萊

>> 1-1 設(shè)備概要

真空等離子體清洗機(jī)(Vacuum Plasma cleaner)，腔體容積為60L。芯片封裝等離子清洗機(jī)是一款以電能將氣體轉(zhuǎn)化為活性的氣體等離子體，氣體等離子體能輕柔沖刷固體樣品表面，引起分子結(jié)構(gòu)的改變，從而達(dá)到對(duì)樣品表面有機(jī)污染物進(jìn)行超清洗，在極短時(shí)間內(nèi)有機(jī)污染物就被外接真空泵抽走，其清洗能力可以達(dá)到分子級(jí)，在一定條件下不僅能使樣品表面特性發(fā)生改變還能因?yàn)椴捎脷怏w作為清洗處理的介質(zhì)，有效避免樣品的再次污染。

>> 2-1 真空等離子處理機(jī)組成簡(jiǎn)介

等離子清洗機(jī)由反應(yīng)腔（又稱(chēng)真空腔）、真空系統(tǒng)、放電系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、進(jìn)氣流量控制系統(tǒng)組成。本設(shè)備采用觸摸屏+PLC 可編程控制器，處理參數(shù)可以在觸摸屏上任意設(shè)定，具有手動(dòng)/自動(dòng)切換功能。自動(dòng)操作采用“一鍵式" ，工作過(guò)程由計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制完成。手動(dòng)操作由用戶(hù)在手動(dòng)模式界面上自行完成.

半導(dǎo)體真空等離子清洗機(jī)工作原理圖-金鉑利萊.jpg

>>3-1 功能應(yīng)用及參數(shù)設(shè)置

1、晶片等離子清洗

2、半導(dǎo)體等離子蝕刻

3、LED 的封裝

4、ITO膜的蝕刻等

5、半導(dǎo)體封裝引線(xiàn)框架清洗活化

6、Silicon Wafer 晶圓表面去除光刻膠與活化

......（等等）

系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配件
設(shè)備尺寸	1105W1488D1842Hmm（2158mm帶信號(hào)燈高度）
水平極板	8層
電極板	402W*450Dmm
氣體流量控制器，2路工藝氣體	0-300 ml/min
真空測(cè)量	日本ulvac真空計(jì)
人機(jī)界面觸摸屏	自主研發(fā)
電極向距	48mm
信號(hào)指示燈	3色帶警報(bào)
真空泵	90m3/h雙極油泵
系統(tǒng)電力＆機(jī)械
電源：AC380V，50/60Hz	額定功率5000W
系統(tǒng)重量(設(shè)備主機(jī)/真空泵)	＜600Kg
占地面積：設(shè)備主機(jī)	1805(W)×1988(D)×1842(H)mm
射頻電源
射頻電源頻率	13.56MHz
射頻電源功率	1000W
射頻電源匹配器	全自動(dòng)匹配，優(yōu)良的空氣電容技術(shù)
設(shè)備條件
電源：AC380V，50/60Hz，三相五線(xiàn)	7.5KVA
壓縮空氣要求	無(wú)水無(wú)油CDA 60～90psig
抽風(fēng)系統(tǒng)	≥2立方/分鐘，尾氣處理管道即可
系統(tǒng)環(huán)境溫度要求	≤30℃(室溫)
工藝氣體要求	15～20psig 99.996％或以上純度