1.半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)，是指半導(dǎo)體材料超聲波清洗機(jī)，硅材料清洗是其中常見的應(yīng)用之一，硅片清洗對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因?yàn)楣杵砻娴奈廴疚飼?huì)嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對(duì)原料要求的提高，污染物對(duì)器件的影響也愈加突出。

   20世紀(jì)70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、增益高、時(shí)間響應(yīng)快和空間成像等特點(diǎn)，因而得到廣泛應(yīng)。它主要應(yīng)用于各種類型的像增強(qiáng)器、夜視儀、量子位置探測(cè)器、射線放大器、場(chǎng)離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強(qiáng)器的核心部件。MCP的制作工藝周期長(zhǎng)且復(fù)雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機(jī)物和無機(jī)物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點(diǎn)、黑點(diǎn)、暗斑等,導(dǎo)致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。

  2.半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)原理：聲波空化作用是指存在于液體中的微氣核空化泡在聲波的作用下振動(dòng)，當(dāng)聲壓達(dá)到一定值時(shí)發(fā)生的生長(zhǎng)和崩潰的動(dòng)力學(xué)過程,是超聲波以每秒兩萬次以上的壓縮力和減壓力交互性的高頻變換方式向液體進(jìn)行透射。在減壓力作用時(shí)，液體中產(chǎn)生真空核群泡的現(xiàn)象，在壓縮力作用時(shí)，真空核群泡受壓力壓碎時(shí)產(chǎn)生強(qiáng)大的沖擊力，由此剝離被清洗物表面的污垢，從而達(dá)到精密洗凈目的。 在超聲波清洗過程中，肉眼能看見的泡并不是真空核群泡，而是空氣氣泡，它對(duì)空化作用產(chǎn)生抑制作用降低清洗效率。只有液體中的空氣氣泡被脫走，空化作用的真空核群泡才能達(dá)到效果。空化作用一般包括3個(gè)階段：空化泡的形成、長(zhǎng)大和劇烈的崩潰。當(dāng)盛滿液體的容器通入超聲波后，由于液體振動(dòng)而產(chǎn)生數(shù)以萬計(jì)的微小氣泡，即空化泡。這些氣泡在超聲波縱向傳播形成的負(fù)壓區(qū)生長(zhǎng)，而在正壓區(qū)迅速閉合，從而在交替正負(fù)壓強(qiáng)下受到壓縮和拉伸。在氣泡被壓縮直至崩潰的一瞬間，會(huì)產(chǎn)生巨大的瞬時(shí)壓力，一般可高達(dá)幾十兆帕至上百兆帕。 Suslick等人測(cè)得：空化可使氣相反應(yīng)區(qū)的溫度達(dá)到5 200 K左右，液相反應(yīng)區(qū)的有效溫度達(dá)到1 900 K左右，局部壓力在5．O5× 10 kPa，溫度變化率高達(dá)10。K/s，并伴有強(qiáng)烈的沖擊波和時(shí)速達(dá)400 km 的微射流。這種巨大的瞬時(shí)壓力，可以使懸浮在液體中的固體表面受到急劇的破壞。通常將超聲波空化分為穩(wěn)態(tài)空化和瞬間空化2種類型：穩(wěn)態(tài)空化是指在聲強(qiáng)較低(一般小于10 w/cm )時(shí)產(chǎn)生的空化泡，其大小在其平衡尺寸附近振蕩，生成周期達(dá)數(shù)個(gè)循環(huán)。當(dāng)擴(kuò)大到使其自身共振頻率與聲波頻率相等時(shí)，發(fā)生聲場(chǎng)與氣泡的能量耦合，產(chǎn)生明顯的空化作用。瞬態(tài)空化則是指在較大的聲強(qiáng)(一般大于1O w/cm )作用下產(chǎn)生的生存周期較短的空化泡(大都發(fā)生在1個(gè)聲波周期內(nèi))。

  3.半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)適用范圍：主要用于半導(dǎo)體材料的清洗，生產(chǎn)加工過程工序間或終端的清洗。

多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。

爐前（RCA）清洗：擴(kuò)散前清洗

光刻后清洗：除去光刻膠。

氧化前自動(dòng)清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。

拋光后自動(dòng)清洗：除去切、磨、拋的沾污。

外延前清洗：除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。

合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?/p>

離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。

擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。

CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。

附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。