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PS-200單靶磁控濺射鍍膜機(jī)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PS-200單靶磁控濺射鍍膜機(jī)

詳細(xì)介紹

設(shè)備簡(jiǎn)介

PS-200單靶磁控濺射鍍膜機(jī)主要由真空室、磁控靶、旋轉(zhuǎn)基片架、真空系統(tǒng)、機(jī)架、電器控制等幾大部分組成?？捎脕?lái)制備導(dǎo)電膜、金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜、多層膜等。設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小適合高校實(shí)驗(yàn)室及科研院所。

環(huán)境要求
供電：AC220V，功率≥20KVA
獨(dú)立地線：＜3Ω，從設(shè)備到地線連接建議采用≥10mm2 的扁平銅線
供水：流量≥10L/min 水溫0～25℃
室溫：＜30℃
相對(duì)濕度：＜75%
高純氬氣
室內(nèi)無(wú)腐蝕易燃、易爆、有毒氣體，無(wú)大的塵埃。

技術(shù)參數(shù)

真空室尺寸（內(nèi)徑X高）	Ф200×200mm
極限真空	2X10-4 Pa
恢復(fù)工作真空	從大氣抽至8X10-4 Pa,≤40min
工作真空	≤6X10-1Pa
升壓率	≤8X10-1Pa/h
基片架旋轉(zhuǎn)速度	2～20rpm可調(diào)
靶-片距	80～120mm
真空系統(tǒng)	分子泵：FF63/80 型 62 L/S
	機(jī)械泵：TRP-12型 3L/S
總功率	20KVA
設(shè)備占地尺寸	800X800