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高性價(jià)比臺(tái)式掃描電鏡

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上海楓火科技有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

系統(tǒng)簡(jiǎn)介SNE-4500M是一款高性價(jià)比的臺(tái)式掃描電鏡

詳細(xì)介紹

系統(tǒng)簡(jiǎn)介

SNE-4500M是一款高性價(jià)比的臺(tái)式掃描電鏡。系統(tǒng)設(shè)計(jì)緊湊，占地面積小，安裝簡(jiǎn)便。無(wú)需特殊的使用環(huán)境。非常適用于實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用。產(chǎn)品有多種型號(hào)可選，放大倍率從6萬(wàn)倍-15萬(wàn)倍，分辨率5nm-15nm，具有BE/BSE二次電子和背散射電子（BE/BSE）兩種探測(cè)模式，可搭載EDS能譜儀。不僅能顯示試樣表面的微觀形貌，還可進(jìn)行定性成分分析。該產(chǎn)品操作簡(jiǎn)便，測(cè)樣速度相當(dāng)快。維護(hù)方便快捷。

系統(tǒng)特點(diǎn)

高性價(jià)比

分辨率5nm

放大倍率15萬(wàn)倍

BE/BSE（二次電子/背散射電子）

五軸自動(dòng)載物臺(tái)

加速電壓1 ~ 30kV連續(xù)可調(diào)

EDS 能譜儀連用，

高性價(jià)比

性能優(yōu)異，使用簡(jiǎn)便，維護(hù)及使用成本低，價(jià)格便宜，售價(jià)與光學(xué)顯微鏡相當(dāng)。具有的性價(jià)比。

放大倍率15萬(wàn)倍，分辨率5nm

BE/BSE（二次電子/背散射電子）

SE(Secondary Electron)二次電子以樣品表面形態(tài)信息構(gòu)現(xiàn)影像，主要用于顯示樣品表面的微觀形貌。

BSE(Backscattered Electron)背散射電子，以組成樣品的成分(原子序數(shù))為成像原理，利用背反射電子作為成像信號(hào)不僅能分析形貌特征，也可以用來(lái)顯示原子序數(shù)襯度，定性進(jìn)行成分分析。

該設(shè)備能實(shí)現(xiàn)在雙視圖模式下同時(shí)對(duì)SE/BSE圖像進(jìn)行查看和存檔

EDS 能譜儀連用

可搭配Bruker或牛津EDS能譜儀，能譜與SEM結(jié)合使用可以同時(shí)獲得表面形貌與成分的信息

加速電壓1 ~ 30kV連續(xù)可調(diào)節(jié)

加速電壓越高，分辨率越好，但是對(duì)樣品穿透性越高，樣品表面細(xì)節(jié)丟失越多，加速電壓越低樣品微觀細(xì)節(jié)越充分但是分辨率較低，SEC電鏡產(chǎn)品為獲得更佳的SEM拍攝效果，加速電壓連續(xù)可調(diào)，使得客戶在進(jìn)行樣品SEM拍攝時(shí)可以獲得樣品形貌更多的細(xì)節(jié)。

五軸載物臺(tái)

采用X，Y，Z，R，T五軸全自動(dòng)設(shè)計(jì)，可同時(shí)運(yùn)用鼠標(biāo)與快捷鍵控制載物臺(tái)無(wú)限制的運(yùn)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)電鏡對(duì)樣品的分析，T軸旋轉(zhuǎn)角度為-45°~90°，可獲取多角度拍攝，該系統(tǒng)還具備光學(xué)導(dǎo)航系統(tǒng)，位置記憶功能。

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)	SNE-4500M Plus-A	SNE-4500M Plus-B	SNE-4500M	SNE-3000MS	SNE-3200M
分辨率	5?	5?	5?	15?	15?
放大倍率	150,000x	150,000x	100,000x	60,000x	60,000x
測(cè)量模式	SE	SE/BSE	SE	SE	SE/BSE
載物臺(tái)	五軸自動(dòng)	五軸自動(dòng)	五軸手動(dòng)	三軸手動(dòng)	三軸手動(dòng)
樣品尺寸	80㎜(D) / 50㎜(H)	80㎜(D) / 50㎜(H)	80㎜(D) / 35㎜(H)	70㎜(D) / 30㎜(H)	70㎜(D) / 30㎜(H)
電子束類型	鎢燈絲
加速電壓	1-30?連續(xù)可調(diào)
顯示模式	320 x 240 / 640 x 480 / 1,280 x 960 / 2,560 x 1,920 / 5,120 x 3,840
圖像樣式	BMP, JPEG, PNG, TIFF
真空泵	機(jī)械泵+分子泵