矽碁科技利用PEALD和PECVD各自鍍膜的特點為用戶開發(fā)了PECVD&PEALD聯(lián)合鍍膜系統(tǒng)，用于半導體工藝中的薄膜封裝。ALD技術可以制備非常薄，非常致密的薄膜，但ALD技術制備致密薄膜需要的時間比較長，這在工業(yè)生產中是不能容忍的。為了克服ALD鍍膜速度慢的劣勢，將其與PECVD快速制備介質薄膜的技術集成到一起，可以實現多種不同材料交替堆疊的薄膜結構。實踐證明，這種交替結構的薄膜封裝性能可以達到與ALD技術同等的封裝效果，同時降低了整個封裝過程占用的時間。

ALD

1 不銹鋼腔體，雙層加熱設計；

2 等離子體增強模塊集成于腔體上蓋；

3 進口高速ALD隔膜閥；

4 12英寸基片；

5 基片加熱400℃；

6 最多可提供6路前驅物和6路工藝氣體；

7 氣路全金屬密封，并可加熱至120℃；

8 可提供前驅體鋼瓶加熱或冷卻；

9 可全自動控制工藝過程，同時也可以手動操作。

PECVD

1 基片尺寸可定制；

2 低溫工藝：< 150℃ / 350℃；

3 多層式工藝氣體導入，氣體分布均勻；

4 獨立MFC控制箱，可靈活擴充工藝氣路；

5 基片內鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%；

6 可與手套箱集成；

多層薄膜封裝技術